1.电压型全控器件P≤MOSF：正连续栅电压控制，负持续栅压控制和隔离;开关频率高;单极，开关频率高，负连续栅电压控制。
2.电压型全控装置IBGT：正连续栅电压控制接通，负持续栅极电压控制和隔离，开关频率高，双极;
3.电压型全控器件MCT：正脉冲电压控制接通，负脉冲电压控制关闭，开关频率高(低于IGBT)，双极开关，负脉冲电压控制关闭。
4.电压型全控装置：连续电压控制开关;高开关频率;单极;
5.电流模式全控装置BJT：正连续基波电流控制开启，基极电流在基极电流为0时被关闭，开关频率适中，双极电流被打开，基极电流在基极电流为0时被关闭。
6.电流模式半控器件可控硅：脉冲栅电流控制接通，触发信号不能控制开关，开关频率低，双极;
7.电流模式全控装置GTO：正脉冲栅电流控制开关，负脉冲门电流(较大)控制关闭，开关频率低，双极;
2.电压型全控装置IBGT：正连续栅电压控制接通，负持续栅极电压控制和隔离，开关频率高，双极;
3.电压型全控器件MCT：正脉冲电压控制接通，负脉冲电压控制关闭，开关频率高(低于IGBT)，双极开关，负脉冲电压控制关闭。
4.电压型全控装置：连续电压控制开关;高开关频率;单极;
5.电流模式全控装置BJT：正连续基波电流控制开启，基极电流在基极电流为0时被关闭，开关频率适中，双极电流被打开，基极电流在基极电流为0时被关闭。
6.电流模式半控器件可控硅：脉冲栅电流控制接通，触发信号不能控制开关，开关频率低，双极;
7.电流模式全控装置GTO：正脉冲栅电流控制开关，负脉冲门电流(较大)控制关闭，开关频率低，双极;
